當前位置：首頁 SCI期刊 SCIE期刊材料科學中科院4區 JCRQ2 期刊介紹(非官網)

Journal Of Inorganic MaterialsSCIE

國際簡稱：J INORG MATER 參考譯名：無機材料雜志

中科院分區
4區
CiteScore分區
Q3
JCR分區
Q2

基本信息：: ISSN：1000-324X; 是否OA：未開放; 是否預警：否; TOP期刊：否

出版信息：: 出版地區：PEOPLES R CHINA; 出版商：Science Press; 出版語言：Chinese; 出版周期：Bimonthly; 出版年份：1986; 研究方向：工程技術-材料科學：硅酸鹽

評價信息：: 影響因子：1.7; H-index：23; CiteScore指數：2.9; SJR指數：0.346; SNIP指數：0.433

發文數據：: Gold OA文章占比：92.29%; 研究類文章占比：89.88%; 年發文量：168; 自引率：0.1176...; 開源占比：0.9981; 出版撤稿占比：0; 出版國人文章占比：0; OA被引用占比：0.0023...

投稿咨詢加急見刊

英文簡介期刊介紹 CiteScore數據中科院SCI分區 JCR分區發文數據常見問題

英文簡介Journal Of Inorganic Materials期刊介紹

Published by The Science Press, started in 1986, monthly, 112 pages per issue, the Journal of Inorganic Materials is an academic periodical with English abstracts sponsored by the Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences.

期刊簡介Journal Of Inorganic Materials期刊介紹

《Journal Of Inorganic Materials》自1986出版以來，是一本材料科學優秀雜志。致力于發表原創科學研究結果，并為材料科學各個領域的原創研究提供一個展示平臺，以促進材料科學領域的的進步。該刊鼓勵先進的、清晰的闡述，從廣泛的視角提供當前感興趣的研究主題的新見解，或審查多年來某個重要領域的所有重要發展。該期刊特色在于及時報道材料科學領域的最新進展和新發現新突破等。該刊近一年未被列入預警期刊名單，目前已被權威數據庫SCIE收錄，得到了廣泛的認可。

該期刊投稿重要關注點：

預計審稿時間：約1.0個月
材料科學
MATERIALS SCIENCE, CERAMICS
SCIE
中科院4區
非預警

Cite Score數據（2024年最新版）Journal Of Inorganic Materials Cite Score數據

CiteScore：2.9
SJR：0.346
SNIP：0.433

學科類別	分區	排名	百分位
大類：Materials Science 小類：General Materials Science	Q3	277 / 463	40%
大類：Materials Science 小類：Inorganic Chemistry	Q3	51 / 79	36%

CiteScore 是由Elsevier(愛思唯爾)推出的另一種評價期刊影響力的文獻計量指標。反映出一家期刊近期發表論文的年篇均引用次數。CiteScore以Scopus數據庫中收集的引文為基礎，針對的是前四年發表的論文的引文。CiteScore的意義在于，它可以為學術界提供一種新的、更全面、更客觀地評價期刊影響力的方法，而不僅僅是通過影響因子(IF)這一單一指標來評價。

歷年Cite Score趨勢圖

中科院SCI分區Journal Of Inorganic Materials 中科院分區

中科院 2023年12月升級版 綜述期刊：否 Top期刊：否

大類學科	分區	小類學科	分區
材料科學	4區	MATERIALS SCIENCE, CERAMICS 材料科學：硅酸鹽	4區

中科院分區表 是以客觀數據為基礎，運用科學計量學方法對國際、國內學術期刊依據影響力進行等級劃分的期刊評價標準。它為我國科研、教育機構的管理人員、科研工作者提供了一份評價國際學術期刊影響力的參考數據，得到了全國各地高校、科研機構的廣泛認可。

中科院分區表 將所有期刊按照一定指標劃分為1區、2區、3區、4區四個層次，類似于“優、良、及格”等。最開始，這個分區只是為了方便圖書管理及圖書情報領域的研究和期刊評估。之后中科院分區逐步發展成為了一種評價學術期刊質量的重要工具。

歷年中科院分區趨勢圖

JCR分區Journal Of Inorganic Materials JCR分區

2023-2024 年最新版

按JIF指標學科分區	收錄子集	分區	排名	百分位
學科：MATERIALS SCIENCE, CERAMICS	SCIE	Q2	15 / 31	53.2%

按JCI指標學科分區	收錄子集	分區	排名	百分位
學科：MATERIALS SCIENCE, CERAMICS	SCIE	Q3	17 / 31	46.77%

JCR分區的優勢在于它可以幫助讀者對學術文獻質量進行評估。不同學科的文章引用量可能存在較大的差異，此時單獨依靠影響因子(IF)評價期刊的質量可能是存在一定問題的。因此，JCR將期刊按照學科門類和影響因子分為不同的分區，這樣讀者可以根據自己的研究領域和需求選擇合適的期刊。

歷年影響因子趨勢圖

本刊中國學者近年發表論文

1、Double Dielectric Layer Metal-oxide Memristor: Design and Applications
Author: You Junqi; Li Ce; Yang Dongliang; Sun Linfeng

Journal: JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS. 2023; Vol. 38, Issue 4, pp. 387-398. DOI: 10.15541/jim20220760
2、Research Progress of Flexible Neuromorphic Transistors
Author: Yang Yang; Cui Hangyuan; Zhu Ying; Wan Changjin; Wan Qing

Journal: JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS. 2023; Vol. 38, Issue 4, pp. 367-377. DOI: 10.15541/jim20220700
3、Fabrication and Microstructure of Gd2O2S:Tb Scintillation Ceramics from Water-bath Synthesized Nano-powders: Influence of H2SO4/Gd2O3 Molar Ratio
Author: Wu Junlin; Ding Jiyang; Huang Xinyou; Zhu Danyang; Huang Dong; Dai Zhengfa; Yang Wenqin; Jiang Xingfen; Zhou Jianrong; Sun Zhijia; Li Jiang

Journal: JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS. 2023; Vol. 38, Issue 4, pp. 452-460. DOI: 10.15541/jim20220542
4、Defect-induced Analogue Resistive Switching Behavior in FeOx-based Memristor and Synaptic Paired-pulse Facilitation Feature
Author: Wang Tongyu; Ran Haofeng; Zhou Guangdong

Journal: JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS. 2023; Vol. 38, Issue 4, pp. 437-444. DOI: 10.15541/jim20220721
5、Enhanced Degradation of Methyl Orange with CoFe2O4@Zeolite Catalyst as Peroxymonosulfate Activator: Performance and Mechanism
Author: Wang Lei; Li Jianjun; Ning Jun; Hu Tianyu; Wang Hongyang; Zhang Zhanqun; Wu Linxin

Journal: JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS. 2023; Vol. 38, Issue 4, pp. 469-+. DOI: 10.15541/jim20220591
6、Dual-gate IGZO-based Neuromorphic Transistors with Stacked Al2O3/Chitosan Gate Dielectrics
Author: Wang Jingyu; Wan Changjin; Wan Qing

Journal: JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS. 2023; Vol. 38, Issue 4, pp. 445-451. DOI: 10.15541/jim20220767
7、Intrinsically Stretchable Threshold Switching Memristor for Artificial Neuron Implementations
Author: Tian Yu; Zhu Xiaojian; Sun Cui; Ye Xiaoyu; Liu Huiyuan; Li Runwei

Journal: JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS. 2023; Vol. 38, Issue 4, pp. 413-420. DOI: 10.15541/jim20220712
8、Effect of Plasma Treatment on the Long-term Plasticity of Synaptic Transistor
Author: Qiu Haiyang; Miao Guangtan; Li Hui; Luan Qi; Liu Guoxia; Shan Fukai

Journal: JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS. 2023; Vol. 38, Issue 4, pp. 406-412. DOI: 10.15541/jim20220675