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Materials Science In Semiconductor Processing

Materials Science In Semiconductor ProcessingSCIE

國際簡稱:MAT SCI SEMICON PROC  參考譯名:半導體加工中的材料科學

  • 中科院分區

    3區

  • CiteScore分區

    Q1

  • JCR分區

    Q2

基本信息:
ISSN:1369-8001
E-ISSN:1873-4081
是否OA:未開放
是否預警:否
TOP期刊:否
出版信息:
出版地區:ENGLAND
出版商:Elsevier Ltd
出版語言:English
出版周期:Bimonthly
出版年份:1998
研究方向:工程技術-材料科學:綜合
評價信息:
影響因子:4.2
H-index:49
CiteScore指數:8
SJR指數:0.732
SNIP指數:0.992
發文數據:
Gold OA文章占比:5.21%
研究類文章占比:96.22%
年發文量:635
自引率:0.0487...
開源占比:0.0145
出版撤稿占比:0
出版國人文章占比:0.21
OA被引用占比:0.0123...
英文簡介 期刊介紹 CiteScore數據 中科院SCI分區 JCR分區 發文數據 常見問題

英文簡介Materials Science In Semiconductor Processing期刊介紹

Materials Science in Semiconductor Processing provides a unique forum for the discussion of novel processing, applications and theoretical studies of functional materials and devices for (opto)electronics, sensors, detectors, biotechnology and green energy.

Each issue will aim to provide a snapshot of current insights, new achievements, breakthroughs and future trends in such diverse fields as microelectronics, energy conversion and storage, communications, biotechnology, (photo)catalysis, nano- and thin-film technology, hybrid and composite materials, chemical processing, vapor-phase deposition, device fabrication, and modelling, which are the backbone of advanced semiconductor processing and applications.

Coverage will include: advanced lithography for submicron devices; etching and related topics; ion implantation; damage evolution and related issues; plasma and thermal CVD; rapid thermal processing; advanced metallization and interconnect schemes; thin dielectric layers, oxidation; sol-gel processing; chemical bath and (electro)chemical deposition; compound semiconductor processing; new non-oxide materials and their applications; (macro)molecular and hybrid materials; molecular dynamics, ab-initio methods, Monte Carlo, etc.; new materials and processes for discrete and integrated circuits; magnetic materials and spintronics; heterostructures and quantum devices; engineering of the electrical and optical properties of semiconductors; crystal growth mechanisms; reliability, defect density, intrinsic impurities and defects.

期刊簡介Materials Science In Semiconductor Processing期刊介紹

《Materials Science In Semiconductor Processing》自1998出版以來,是一本工程技術優秀雜志。致力于發表原創科學研究結果,并為工程技術各個領域的原創研究提供一個展示平臺,以促進工程技術領域的的進步。該刊鼓勵先進的、清晰的闡述,從廣泛的視角提供當前感興趣的研究主題的新見解,或審查多年來某個重要領域的所有重要發展。該期刊特色在于及時報道工程技術領域的最新進展和新發現新突破等。該刊近一年未被列入預警期刊名單,目前已被權威數據庫SCIE收錄,得到了廣泛的認可。

該期刊投稿重要關注點:

Cite Score數據(2024年最新版)Materials Science In Semiconductor Processing Cite Score數據

  • CiteScore:8
  • SJR:0.732
  • SNIP:0.992
學科類別 分區 排名 百分位
大類:Engineering 小類:Mechanical Engineering Q1 87 / 672

87%

大類:Engineering 小類:Condensed Matter Physics Q1 59 / 434

86%

大類:Engineering 小類:Mechanics of Materials Q1 60 / 398

85%

大類:Engineering 小類:General Materials Science Q1 100 / 463

78%

CiteScore 是由Elsevier(愛思唯爾)推出的另一種評價期刊影響力的文獻計量指標。反映出一家期刊近期發表論文的年篇均引用次數。CiteScore以Scopus數據庫中收集的引文為基礎,針對的是前四年發表的論文的引文。CiteScore的意義在于,它可以為學術界提供一種新的、更全面、更客觀地評價期刊影響力的方法,而不僅僅是通過影響因子(IF)這一單一指標來評價。

歷年Cite Score趨勢圖

中科院SCI分區Materials Science In Semiconductor Processing 中科院分區

中科院 2023年12月升級版 綜述期刊:否 Top期刊:否
大類學科 分區 小類學科 分區
工程技術 3區 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學:綜合 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態物理 3區 3區 3區 3區

中科院分區表 是以客觀數據為基礎,運用科學計量學方法對國際、國內學術期刊依據影響力進行等級劃分的期刊評價標準。它為我國科研、教育機構的管理人員、科研工作者提供了一份評價國際學術期刊影響力的參考數據,得到了全國各地高校、科研機構的廣泛認可。

中科院分區表 將所有期刊按照一定指標劃分為1區、2區、3區、4區四個層次,類似于“優、良、及格”等。最開始,這個分區只是為了方便圖書管理及圖書情報領域的研究和期刊評估。之后中科院分區逐步發展成為了一種評價學術期刊質量的重要工具。

歷年中科院分區趨勢圖

JCR分區Materials Science In Semiconductor Processing JCR分區

2023-2024 年最新版
按JIF指標學科分區 收錄子集 分區 排名 百分位
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 89 / 352

74.9%

學科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q2 158 / 438

64%

學科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 51 / 179

71.8%

學科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q2 25 / 79

69%

按JCI指標學科分區 收錄子集 分區 排名 百分位
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 113 / 354

68.22%

學科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q2 125 / 438

71.58%

學科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 47 / 179

74.02%

學科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q1 19 / 79

76.58%

JCR分區的優勢在于它可以幫助讀者對學術文獻質量進行評估。不同學科的文章引用量可能存在較大的差異,此時單獨依靠影響因子(IF)評價期刊的質量可能是存在一定問題的。因此,JCR將期刊按照學科門類和影響因子分為不同的分區,這樣讀者可以根據自己的研究領域和需求選擇合適的期刊。

歷年影響因子趨勢圖

發文數據

2023-2024 年國家/地區發文量統計
  • 國家/地區數量
  • CHINA MAINLAND376
  • India309
  • South Korea97
  • Turkey76
  • Mexico73
  • Japan71
  • Iran65
  • USA63
  • Saudi Arabia55
  • Italy48

本刊中國學者近年發表論文

  • 1、V2O5 nanobelts via a facile water-assisted strategy boosting electrochromic performance

    Author: Sun, Haohao; Wang, Wenxuan; Fan, Qiongzhen; Qi, Yanyuan; Xiong, Yuli; Jian, Zelang; Chen, Wen

    Journal: MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING. 2023; Vol. 155, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mssp.2022.107265

  • 2、Ag/Ag3PO4 nanoparticles assembled on sepiolite nanofibers: Enhanced visible-light-driven photocatalysis and the important role of Ag decoration

    Author: Ren, Xiaofei; Hu, Guicong; Guo, Qingbin; Gao, Dengzheng; Wang, Li; Hu, Xiaolong

    Journal: MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING. 2023; Vol. 156, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mssp.2022.107272

  • 3、Exploring the effect of oxygen environment on the Mo/CdTe/CdSe solar cell substrate configuration

    Author: Yang, Xiutao; Long, Yuchen; Zheng, Yujie; Wang, Jiayi; Zhou, Biao; Xie, Shenghui; Li, Bing; Zhang, Jingquan; Hao, Xia; Karazhanov, Smagul; Zeng, Guanggen; Feng, Lianghuan

    Journal: MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING. 2023; Vol. 156, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mssp.2022.107267

  • 4、Slag refining at various viscosity conditions for SiC inclusion removal during Si scraps recycling

    Author: Pan, Di; Jiang, Dachuan; Hu, Zhiqiang; Li, Pengting; Tan, Yi; Li, Jin; Li, Jiayan

    Journal: MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING. 2023; Vol. 156, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mssp.2022.107274

  • 5、Fabrication of interface-engineered Ni/NiO/rGO nanobush for highly efficient and durable oxygen reduction

    Author: Wang, Yanan; Duan, Chunyang; Li, Junhua; Zhao, Zenghua; Xu, Jiasheng; Liu, Lin; Qian, Jianhua

    Journal: MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING. 2023; Vol. 156, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mssp.2022.107259

  • 6、The structural, mechanical and electronic properties of BaxNy compounds

    Author: Wang, Gao-Min; Zeng, Wei; Zhang, Fan; Li, Xing-Han; Liu, Fu-Sheng; Tang, Bin; Zhong, Mi; Liu, Qi-Jun

    Journal: MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING. 2023; Vol. 156, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mssp.2022.107268

  • 7、Synergistic effect of 1,2,4-triazole and phytic acid as inhibitors on copper film CMP for ruthenium- based copper interconnected and the surface action mechanism analysis

    Author: Luo, Fu; Niu, Xinhuan; Yan, Han; Zhang, Yinchan; Qu, Minghui; Zhu, Yebo; Hou, Ziyang

    Journal: MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING. 2023; Vol. 156, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mssp.2022.107276

  • 8、Hyperspectral camouflage coating using Palygorskite to simulate water absorption of healthy green leaves

    Author: Lu, Haipeng; Bai, Xingzhi; Wang, Zhenxiong; Guo, Yang; Zhang, Li; Weng, Xiaolong; Xie, Jianliang; Liang, Difei; Deng, Longjiang

    Journal: MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING. 2023; Vol. 156, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mssp.2022.107293

投稿常見問題

通訊方式:ELSEVIER SCI LTD, THE BOULEVARD, LANGFORD LANE, KIDLINGTON, OXFORD, ENGLAND, OXON, OX5 1GB。

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