Semiconductor Science And TechnologySCIE
國際簡稱：SEMICOND SCI TECH 參考譯名：半導(dǎo)體科技
- 基本信息：
- ISSN：0268-1242
- E-ISSN：1361-6641
- 是否OA：未開放
- 是否預(yù)警：否
- TOP期刊：否
- 出版信息：
- 出版地區(qū)：ENGLAND
- 出版商：IOP Publishing Ltd.
- 出版語言：English
- 出版周期：Monthly
- 出版年份：1986
- 研究方向：工程技術(shù)-材料科學(xué)：綜合
- 評價信息：
- 影響因子：1.9
- H-index：99
- CiteScore指數(shù)：4.3
- SJR指數(shù)：0.411
- SNIP指數(shù)：0.741
- 發(fā)文數(shù)據(jù)：
- Gold OA文章占比：10.23%
- 研究類文章占比：95.85%
- 年發(fā)文量：193
- 自引率：0.0526...
- 開源占比：0.0715
- 出版撤稿占比：0
- 出版國人文章占比：0.19
- OA被引用占比：0.0493...
英文簡介Semiconductor Science And Technology期刊介紹
Devoted to semiconductor research, Semiconductor Science and Technology's multidisciplinary approach reflects the far-reaching nature of this topic.
The scope of the journal covers fundamental and applied experimental and theoretical studies of the properties of non-organic, organic and oxide semiconductors, their interfaces and devices, including:
fundamental properties
materials and nanostructures
devices and applications
fabrication and processing
new analytical techniques
simulation
emerging fields:
materials and devices for quantum technologies
hybrid structures and devices
2D and topological materials
metamaterials
semiconductors for energy
flexible electronics.
期刊簡介Semiconductor Science And Technology期刊介紹
《Semiconductor Science And Technology》自1986出版以來，是一本工程技術(shù)優(yōu)秀雜志。致力于發(fā)表原創(chuàng)科學(xué)研究結(jié)果，并為工程技術(shù)各個領(lǐng)域的原創(chuàng)研究提供一個展示平臺，以促進工程技術(shù)領(lǐng)域的的進步。該刊鼓勵先進的、清晰的闡述，從廣泛的視角提供當前感興趣的研究主題的新見解，或?qū)彶槎嗄陙砟硞€重要領(lǐng)域的所有重要發(fā)展。該期刊特色在于及時報道工程技術(shù)領(lǐng)域的最新進展和新發(fā)現(xiàn)新突破等。該刊近一年未被列入預(yù)警期刊名單，目前已被權(quán)威數(shù)據(jù)庫SCIE收錄，得到了廣泛的認可。
該期刊投稿重要關(guān)注點：
Cite Score數(shù)據(jù)（2024年最新版）Semiconductor Science And Technology Cite Score數(shù)據(jù)
- CiteScore：4.3
- SJR：0.411
- SNIP：0.741
| 學(xué)科類別 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 大類：Engineering 小類：Electrical and Electronic Engineering | Q2 | 305 / 797 |
61% |
| 大類：Engineering 小類：Condensed Matter Physics | Q2 | 167 / 434 |
61% |
| 大類：Engineering 小類：Materials Chemistry | Q2 | 137 / 317 |
56% |
| 大類：Engineering 小類：Electronic, Optical and Magnetic Materials | Q2 | 126 / 284 |
55% |
CiteScore 是由Elsevier(愛思唯爾)推出的另一種評價期刊影響力的文獻計量指標。反映出一家期刊近期發(fā)表論文的年篇均引用次數(shù)。CiteScore以Scopus數(shù)據(jù)庫中收集的引文為基礎(chǔ)，針對的是前四年發(fā)表的論文的引文。CiteScore的意義在于，它可以為學(xué)術(shù)界提供一種新的、更全面、更客觀地評價期刊影響力的方法，而不僅僅是通過影響因子(IF)這一單一指標來評價。
中科院SCI分區(qū)Semiconductor Science And Technology 中科院分區(qū)
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué)：綜合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態(tài)物理 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) |
中科院分區(qū)表 是以客觀數(shù)據(jù)為基礎(chǔ)，運用科學(xué)計量學(xué)方法對國際、國內(nèi)學(xué)術(shù)期刊依據(jù)影響力進行等級劃分的期刊評價標準。它為我國科研、教育機構(gòu)的管理人員、科研工作者提供了一份評價國際學(xué)術(shù)期刊影響力的參考數(shù)據(jù)，得到了全國各地高校、科研機構(gòu)的廣泛認可。
中科院分區(qū)表 將所有期刊按照一定指標劃分為1區(qū)、2區(qū)、3區(qū)、4區(qū)四個層次，類似于“優(yōu)、良、及格”等。最開始，這個分區(qū)只是為了方便圖書管理及圖書情報領(lǐng)域的研究和期刊評估。之后中科院分區(qū)逐步發(fā)展成為了一種評價學(xué)術(shù)期刊質(zhì)量的重要工具。
JCR分區(qū)Semiconductor Science And Technology JCR分區(qū)
| 按JIF指標學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 211 / 352 |
40.2% |
| 學(xué)科：MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY | SCIE | Q3 | 301 / 438 |
31.4% |
| 學(xué)科：PHYSICS, CONDENSED MATTER | SCIE | Q3 | 50 / 79 |
37.3% |
| 按JCI指標學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 238 / 354 |
32.91% |
| 學(xué)科：MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY | SCIE | Q3 | 293 / 438 |
33.22% |
| 學(xué)科：PHYSICS, CONDENSED MATTER | SCIE | Q3 | 51 / 79 |
36.08% |
JCR分區(qū)的優(yōu)勢在于它可以幫助讀者對學(xué)術(shù)文獻質(zhì)量進行評估。不同學(xué)科的文章引用量可能存在較大的差異，此時單獨依靠影響因子(IF)評價期刊的質(zhì)量可能是存在一定問題的。因此，JCR將期刊按照學(xué)科門類和影響因子分為不同的分區(qū)，這樣讀者可以根據(jù)自己的研究領(lǐng)域和需求選擇合適的期刊。
發(fā)文數(shù)據(jù)
- 國家/地區(qū)數(shù)量
- CHINA MAINLAND257
- USA139
- India121
- GERMANY (FED REP GER)95
- South Korea90
- England64
- Japan64
- France55
- Russia52
- Taiwan31
本刊中國學(xué)者近年發(fā)表論文
-
1、Sub-band gap infrared absorption in Si implanted with Mg
Author: Wang, Mao; Shaikh, M. S.; Kentsch, U.; Heller, R.; Zhou, Shengqiang
Journal: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2023; Vol. 38, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1088/1361-6641/aca3ca
-
2、Emission and capture characteristics of electron trap (E-emi=0.8 eV) in Si-doped beta-Ga2O3 epilayer
Author: Qu, Haolan; Chen, Jiaxiang; Zhang, Yu; Sui, Jin; Gu, Yitian; Deng, Yuxin; Su, Danni; Zhang, Ruohan; Lu, Xing; Zou, Xinbo
Journal: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2023; Vol. 38, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1088/1361-6641/aca045
-
3、Straightforward synthesis and mechanism insight of TiO2/a'-AgVO3 heterostructure with enhanced photocatalytic activity
Author: Liu, Yangbin; Liu, Nian; Lin, Minghua; Zhou, Yun; Ouyang, Xiaoping
Journal: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2023; Vol. 38, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1088/1361-6641/aca625
-
4、The interplay of process parameters and influence on the AlN films on sapphire fabricated by DC magnetron sputtering and annealing
Author: Liu, Huan; Guo, Wei
Journal: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2023; Vol. 38, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1088/1361-6641/aca8ca
-
5、Low-temperature in situ deposited CuI-based hole-transporter for perovskite solar cells efficiency enhancement
Author: Li, Hang; Fu, Chao; Shi, Lei; Li, Chaorong; Pan, Jiaqi; Zhang, Wenjun
Journal: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2023; Vol. 38, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1088/1361-6641/aca3c9
-
6、Design of the GaN based CAVET with SiO2-InGaN hybrid current blocking layer
Author: Li, Haiou; Kang, Dongxu; Qu, Kangchun; Liu, Xingpeng; Wan, Rongqiao
Journal: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2023; Vol. 38, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1088/1361-6641/aca626
-
7、In-situ deposition of tungsten oxide hole-contact by Hot-Wire CVD and its application in dopant-free heterojunction solar cells
Author: Guo, Cong; Li, Junjun; Liu, Run; Zhang, Dongdong; Qiu, Junyang; Zhuang, Zihan; Chen, Yang; Qiu, Qingqing; Liu, Wenzhu; Huang, Yuelong; Yu, Jian; Chen, Tao
Journal: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2023; Vol. 38, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1088/1361-6641/aca5ac
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8、Investigation of thermal stability and crystallization mechanism of Er-0.03(GeTe)(0.97) phase change material
Author: Gu, Han; Wu, Weihua; Xu, Shengqing; Zhou, Xiaochen; Shen, Bo; Zhai, Jiwei
Journal: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2023; Vol. 38, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1088/1361-6641/aca520
投稿常見問題
-
請問這本期刊屬于什么級別呢？可用于職稱評定嗎？
一般刊物只分省級、部級、核心，期刊本身是沒有幾類劃分的，具體是幾類或者幾級，您可以對照單位的分類文件確認一下。Semiconductor Science And Technology雜志是由IOP Publishing Ltd.出版的一本SCIE，可用于職稱評定。
-
你們能夠提供哪些核心期刊的咨詢服務(wù)？
大多數(shù)核心期刊我們都是可以提供咨詢服務(wù)的。目前核心期刊主要分為以下幾類：1.國內(nèi)核心：按照權(quán)威度排序，社科類：南大核心>南大擴展>北大核心>科技核心 按照權(quán)威度排序。工科類：CSCD C庫>CSCD E庫（相當于CSCD擴展）>北大核心>科技核心。2.國外核心（全英文）：按照權(quán)威度排序為：SSCI=SCI>EI>ISTP=CPCI。
-
想快速發(fā)表，可以加急嗎？
為了確保您的職稱評定順利進行，我們建議提前半年到一年開始準備，這樣能夠保證有充足的時間來處理所有相關(guān)事宜。如果客戶需要加急服務(wù)，我們會與雜志社進行溝通，以確定是否可以提供加急服務(wù)。請注意，如果確認可以加急，可能會收取一定的加急費用。
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你們提供的服務(wù)可以確保稿件被發(fā)表嗎？
期刊編輯會綜合考慮多個因素，如發(fā)表范圍、學(xué)術(shù)價值和原創(chuàng)性等，對稿件進行綜合評估。盡管任何機構(gòu)均無法保證每篇稿件都會被發(fā)表，但我們可以用專業(yè)知識和豐富經(jīng)驗，協(xié)助您理解并遵循期刊的發(fā)表要求，從而提高您的稿件被發(fā)表的機率。
-
請問期刊發(fā)表的費用如何？
期刊發(fā)表的費用因期刊不同而異。根據(jù)您的需求，我們會為您推薦性價比最高的期刊，并提供專業(yè)的期刊供您選擇。一般來說，只要符合職稱要求，大多數(shù)作者都會選擇性價比最高的期刊作為意向期刊進行重點咨詢。我們會為您提供詳細的期刊信息和費用說明，以確保您能夠做出明智的選擇。
-
如果稿件被拒，未能成功發(fā)表，費用是否可以退還？
一般來說，我們推薦的期刊和您的專業(yè)方向、文章情況都是匹配的，極少出現(xiàn)稿件被拒的情況。如果稿件被拒，期刊編輯會提供詳細的拒稿信和建議，以幫助您了解拒稿原因并改進您的稿件。關(guān)于退款政策，具體情況可能因期刊不同而異，請您咨詢我們的工作人員以獲取詳細信息。
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