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真空電子技術雜志

真空電子技術雜志部級期刊

Vacuum Electronics

主管單位:中國電子科技集團公司 主辦單位:北京真空電子技術研究所

  • 審稿周期

    1個月內

  • 影響因子

    0.32

  • 發文量

    1232

  • 總被引次數

    2963

  • H指數

    17

  • 立即指數

    0.0079

  • 引用半衰期

    4.0217

  • 期刊他引率

    0.8462

  • 平均引文率

    6.4524

基本信息:
ISSN:1002-8935
CN:11-2485/TN
主編:宮玉彬
郵編:100015
出版信息:
出版地區:北京
出版周期:雙月刊
出版語言:中文
創刊時間:1959
類別:電子
收錄信息:
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榮譽信息:
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期刊介紹 歷史收錄 投稿須知 評價報告 文獻分析 發文分析 期刊文獻 常見問題

真空電子技術期刊介紹

《真空電子技術》是由北京真空電子技術研究所主辦,中國電子科技集團公司主管的全國性電子類期刊,創刊于1959年,刊號(CN 11-2485/TN,ISSN 1002-8935),雙月刊。該雜志以刊登電子科學論文、評價電子科研成果、探討電子教學規律、傳播電子教學經驗、開展電子學術討論、報道電子研究動態、提供國內外電子信息為主旨,引領電子前沿和熱難點問題研究,助電子經學者成長。該刊級別為部級期刊,歡迎廣大讀者訂閱。

《真空電子技術》期刊欄目主要有:綜述 空間電推進專輯 理論與設計 工藝研究 整管研制

真空電子技術歷史收錄情況

  • 北大核心期刊(1992版)

真空電子技術投稿須知

(1)每篇文章皆需500字以內“內容提要”以及關鍵詞3-5個。

(2)凡投稿在1個月內未收到編輯部采用通知者,可自行處理。來稿一律不退,請作者自留底稿或做好備份。

(3)請將注釋置于每頁地角,注釋順序用①②……表示;參考文獻置于文末,著錄順序用[1][2]……表示。

(4)論文要有摘要、關鍵詞,注釋采用腳注形式,論文文件標題格式為:姓名+單位+論文題目,文后附個人簡歷。

(5)文中小標題一般分為三級,第一級標題用“一、”、“二、”、“三、”標示;第二級標題用“1.”、“2.”、“3.”標示,第三級標題用“(1)”、“(2)”、“(3)”標示,每級標題序號前均空兩格。

真空電子技術期刊評價報告

年度 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022
影響因子 0.16 0.16 0.26 0.15 0.22 0.33 0.32 0.38
立即指數 0.05 0.02 0.02 0.02 0.03 0.02 0.03 0.05
發文量 110 106 104 89 95 88 89 101
引用半衰期 8.5 8.22 8.41 7.23 7.66 7.79 5.72 6.81
被引半衰期 5.78 6.71 6.63 7.14 6.39 5.94 6.61 6.44
被引次數 225 242 298 233 297 317 296 340
期刊他引率 0.8 0.8 0.75 0.84 0.71 0.74 0.73 0.71
平均引文率 7.8 7.7 8.5 12.6 14.3 16.7 15.4 15.5

真空電子技術文獻分析

1、主要引證文獻期刊分析

序號 期刊 涉及文獻量
1 《強激光與粒子束》 153
2 《真空科學與技術學報》 150
3 《真空》 72
4 《材料導報》 69
5 《微波學報》 63
6 《電子器件》 54
7 《太赫茲科學與電子信息學報》 53
8 《硅酸鹽通報》 39
9 《陶瓷學報》 35
10 《中國陶瓷》 35

2、主要參考文獻期刊分析

序號 期刊 涉及文獻量
1 《強激光與粒子束》 177
2 《真空科學與技術學報》 102
3 《物理學報》 82
4 《電子學報》 71
5 《硅酸鹽學報》 49
6 《真空科學與技術》 48
7 《真空》 47
8 《微波學報》 43
9 《電子與信息學報》 41
10 《材料導報》 39

真空電子技術主要發文機構分析

序號 機構名稱 發文量 相關發文主題
1 北京真空電子技術研究所 700 行波管;陶瓷;速調管;功率;毫米波
2 電子科技大學 290 行波管;太赫茲;赫茲;磁控管;慢波
3 西安交通大學 190 顯示器;等離子體顯示;等離子體顯示器;真空滅弧;真空滅弧室
4 中國科學院電子學研究所 135 速調管;行波管;多注;多注速調管;陰極
5 東南大學 99 行波管;慢波;場致發射;電子槍;慢波結構
6 四川大學 76 微波加熱;微波;微波等離子體;端口;等離子體
7 中國電子科技集團公司第十二研究所 66 行波管;功率;折疊波導;大功率;通信
8 南京電子器件研究所 48 顯示器;顯示器件;光電;液晶;液晶顯示
9 清華大學 43 納米;場發射;碳納米管;陶瓷;納米管
10 中國科學院 42 陶瓷;氮化;導熱;無壓燒結;流延

真空電子技術期刊文獻

  • 覆銅氮化鋁陶瓷基板失效機理分析 作者:張珊珊; 楊理航; 王燕斌; 顏魯春; 高克瑋; 萬曉玲; 張雷; 楊會生;北京科技大學材料科學與工程學院; 北京100083; 北京科技大學化學與生物工程學院; 北京100083
  • 大功率高可靠電子封裝研究發展趨勢 作者:陳寰貝; 王子良; 龐學滿; 程凱;中國電子科技集團公司第五十五研究所; 江蘇南京210016
  • 高導熱氮化硅陶瓷基板材料研究現狀 作者:鄭彧; 童亞琦; 張偉儒;北京中材人工晶體研究院有限公司; 北京100018
  • 高導熱氮化硅陶瓷的低成本制備和性能研究 作者:張景賢; 段于森; 江東亮; 楊建; 馮永寶; 李曉云; 丘泰;中國科學院上海硅酸鹽研究所高性能陶瓷和超微結構國家重點實驗室; 上海200050; 中國科學院上海硅酸鹽研究所蘇州研究院; 江蘇太倉215400; 南京工業大學材料科學與工程學院; 江蘇南京210009
  • 帶圓弧面斜T型氮化硼夾持桿的加工工藝 作者:董笑瑜; 吳亞琴; 朱軍方; 劉俊; 姚建波; 李林;南京三樂集團有限公司; 江蘇南京211800
  • 高密度熱解氮化硼材料的制備及性能表征 作者:張佳偉; 劉汝強; 趙旭榮; 吳思華; 王殿春;山東國晶新材料有限公司; 山東禹城251200
  • 特種陶瓷高溫工程節能中的關鍵材料技術 作者:陳涵; 郭露村;南京工業大學材料科學與工程學院; 江蘇南京210009
  • 空間行波管放大器微小放電對策的初步研究 作者:馮昱嘉; 梁英; 馮西賢;中國空間技術研究院西安分院空間微波技術研究所; 陜西西安710100

投稿常見問題

,地址:北京市朝陽區酒仙橋路13號,郵編:100015。

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